[20p-C42-1~6] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[20p-C42-5] AlN上分極ドープ組成傾斜AlGaN層の正孔濃度におけるMg添加の影響

〇竹久 哲平¹、高畑 勇汰¹、岡 龍乃介¹、武藤 響己¹、浜島 直紀¹、三浦 聖央¹、石黒 永孝¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、齋藤 義樹²、奥野 浩司² (1.名城大理工、2.豊田合成)

キーワード：

分極ドーピング、AlGaN、深紫外LED

深紫外 LED や深紫外レーザーには、分極ドーピングによる組成傾斜 AlGaN 層が採用されてい る。一方で、この分極ドープ組成傾斜 AlGaN 層の正孔濃度を直接測定した報告例は少ない。さら に、GaN 上では Mg 添加をしない組成傾斜 AlGaN 層での正孔濃度に関する報告例はあるものの 、AlN上でMg添加をしない組成傾斜AlGaN層での正孔濃度に関する報告例は我々が知る限り ない。今回、我々は AlN 上で AlGaN コンタクト層を有し、Mg を添加した組成傾斜 AlGaN 層で p 型を示した試料をベースに、Mg 添加しない試料を作製し、ホール効果測定を行い、比較した。