[20p-C43-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-C43-1] Vapor Phase Si Etching Assisted by Graphene Oxide (GO) with Photochemically Modified In-plane Structure

〇YUTA GOTO¹, Toru Utsunomiya¹, Takashi Ichii¹ (1.Kyoto univ.)

Keywords:

graphene oxide,etching

シリコン表面微細加工技術の1つとして炭素材料を触媒としたアシストエッチングが注目されている．従来の液相エッチングでは，発生したガスによって炭素材料が基板から剥がれてしまうため，大面積を均一に加工することが困難である．近年，気相でのエッチング手法が開発されたが，そのメカニズムは明らかになっていない．本研究では，構造の異なる酸化グラフェンを気相エッチングに用いることで，その律速プロセスを明らかにした．