[22a-13P-1~11] 9.4 Thermoelectric conversion

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[22a-13P-5] n-type kesterite (Cu_1-xAg_x)₂ZnSnS₄ single crystal with ZT > 1

〇Akira Nagaoka¹, Katsuma Nagatomo¹, Shoma Miura¹, Shintaro Yasui², Kenji Yoshino¹, Kensuke Nishioka¹ (1.Univ. of Miyazaki, 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:

Multinary compound,Thermoelectric material,Sulfide

基本的な熱電デバイスはp型とn型の熱電材料を用いたパイ型素子が一般的である。熱電特性や安定温度が大きく異なったp-n型材料を用いた熱電デバイスは、変換効率の低下や長期安定性が期待できない。したがって、伝導型が制御できる材料はデバイス化に向けて必要となる。本発表では、Ag元素を混晶した(Cu_1-xAg_x)₂ZnSnS₄ (CAZTS)単結晶中の点欠陥制御によってn型化を実現し、800 KにおいてZT >1を達成した事を報告する。