Presentation Information
[22a-21C-4]Effect of etch-mask structure on the GaN nano-trench fabrication by HEATE
〇Yuki Takahashi1, Tomoaki Momma1, Akihiko Kikuchi1,2,3 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center., 3.Sophia Semiconductor Research Institute.)
Keywords:
Nitride Semiconductor,Etching,Distributed Bragg Reflector
空気/GaN分布ブラッグ反射型レーザ構造の超低閾値動作には高反射率を得る必要があり、そのためには一定以上の構造高さと垂直性の両立が求められる。そこで純水素ガスを用いたHEATE法において、従来型のSiO2単層マスクと新たに提案するAl2O3/SiO2二層マスクによるGaNナノトレンチ形状への影響を比較し、高精度垂直トレンチ構造作製技術への有用性を検討した。