講演情報
[22a-21C-4]水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法によるＧａＮのナノトレンチ加工におけるエッチングマスク構造の影響
〇高橋 勇貴1、門馬 智亮1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)
キーワード：
窒化物半導体,エッチング,多層膜反射鏡
空気/GaN分布ブラッグ反射型レーザ構造の超低閾値動作には高反射率を得る必要があり、そのためには一定以上の構造高さと垂直性の両立が求められる。そこで純水素ガスを用いたHEATE法において、従来型のSiO2単層マスクと新たに提案するAl2O3/SiO2二層マスクによるGaNナノトレンチ形状への影響を比較し、高精度垂直トレンチ構造作製技術への有用性を検討した。