[22p-11F-1~15] 3.14 Silicon photonics and integrated photonics (formerly 3.15)

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[22p-11F-11] Slope formation of thin film LN edge

〇Katsutoshi Kondou¹ (1.Sumitomo Osaka Cement)

Keywords:

Thin Film LN

SiN導波路と薄膜LNを集積させた光素子を検討している。薄膜LNのエッジ部にスロープを形成することで、SiN導波路とSiN装荷薄膜LN導波路の接続損失を0.2dB以下にすることが可能である。ウェットエッチングで、薄膜LNのエッジ部にスロープを形成することができた。