[22p-12J-1~9] 13.3 Insulator technology

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[22p-12J-6] Variation of GeO₂/Ge interface properties with annealing time of Cu-PMA method

〇(M1)Kota Kanno¹, Youta Uchida¹, Yoshitaka Iwazaki¹, Tomo Ueno¹ (1.Tokyo Univ. of Agri & Tech)

Keywords:

Ge-MOSFET,post metallization annealing

Geを用いたMOS構造は高温熱酸化500℃によりGeO₂を成膜する際に、GeO₂/Ge界面からGeO脱離が発生し欠陥が生じてしまう。そのため、金属薄膜を堆積させ熱処理を行うことで、欠陥や膜質を改善する手法であるPMA法により、この問題の解決を試みた。先行研究でPMA金属種として、他の原子と容易に化学反応が進行するCuを用いた場合で改善効果が見られ、またアニールガスに結合を促進させる酸素を用いることにより大幅に特性が改善することが分かった。