[23a-12E-1~13] 1.6 Ultrasonics

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-12E-6] Two-layer polarization reversal SiAlN film BAW resonator fabricated by continuous deposition.

〇Kei Hukunaga¹, Masashi Suzuki¹, Shoji Kakio¹ (1.Univ. of yamanashi)

Keywords:

Balk acoustic wave,AlN film

本研究では成膜プロセスを簡略化し，酸化膜の影響を受けない分極反転構造薄膜BAW共振子を作製するため，SiAlN薄膜の極性を制御し，基板付き2層分極反転構造SiAlN薄膜BAW共振子を連続成膜で作製し，評価した．その結果，連続成膜により形成した2層分極反転構造SiAlN薄膜BAW共振子は極性を引き継いでしまい，その引き継ぎを考慮して成膜時間を設定すれば2次モード共振を達成できることが判明した．