Presentation Information
[23a-12H-3]Fabrication of PZT/LaNiO3/PZT Epitaxial Stacking Structure for Application in Piezoelectric Thin-Film Multilayer MEMS Actuators.
〇(B)Sokichi Kato1, Teshigahara Akihiko1, Yoshida Shinya1 (1.Shibaura Univ.)
Keywords:
Piezoelectric Actuators
近年，圧電MEMSアクチュエータにおいて低電圧で大変位を得るために，PZT薄膜および電極の積層構造が開発されている．もしこのPZT薄膜を，正方晶組成かつ(001)配向エピタキシャル膜にすることができれば，低電圧駆動かつ良線形性を具えた圧電アクチュエータを創出できる可能性がある．本研究では，中間電極層としLNO薄膜を用いて，PZT/LNO/PZTエピタキシャル積層構造の作製を試みた．