講演情報
[23a-12H-3]圧電薄膜積層MEMSアクチュエータへの応用を目指したPZT/LaNiO3/PZTエピタキシャル積層構造の作製
〇(B)加藤 創吉1、勅使河原 明彦1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大工)
キーワード：
圧電アクチュエータ
近年，圧電MEMSアクチュエータにおいて低電圧で大変位を得るために，PZT薄膜および電極の積層構造が開発されている．もしこのPZT薄膜を，正方晶組成かつ(001)配向エピタキシャル膜にすることができれば，低電圧駆動かつ良線形性を具えた圧電アクチュエータを創出できる可能性がある．本研究では，中間電極層としLNO薄膜を用いて，PZT/LNO/PZTエピタキシャル積層構造の作製を試みた．