[23a-12H-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[23a-12H-7] The effect of seed layer thickness on the crystal structure of (100) BiFeO₃ films grown on Si substrates

〇(B)Meika Takagi¹, Sengsavang Aphayvong¹, Kohei Takaki¹, Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

ferroelectric,epitaxial films,BiFeO3

BiFeO₃は非鉛の強誘電体として様々な応用が模索されている。我々は高感度圧電MEMSセンサの薄膜材料として着目しており、結晶構造制御による圧電特性の向上に取り組んでいる。前回、我々はスパッタ法を用いて(100)Si基板上に(100)BiFeO₃エピタキシャル積層膜を形成できること、得られたBiFeO₃薄膜は面内方向に歪んだM_B構造となっていることを報告した。本発表ではシード層の厚みがBiFeO₃薄膜の結晶構造におよぼす影響を詳細に調べた結果を発表する。