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12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)

[23a-12L-10]Evaluation of Interface Potential–Voltage Characteristics and Interface Defects

〇Isshin Sumiyoshi¹, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

photoreflectance,interface defect,SCAPS-1D

太陽電池の性能において界面欠陥の制御は重要である．一般的に界面欠陥の制御指標として曲線因子が挙げられるが，その解釈は容易でない．これに対し本研究では，界面欠陥の制御指標として，印加電圧 (V) と界面電位 (φs)の関係であるφs–V 特性を提案する．GaInP太陽電池に対して，バイアス印加PR法によりφs–V 特性を評価した結果，界面欠陥準位と界面欠陥密度がそれぞれVBM + 0.8 eV, 2 × 10¹² cm^-2と求まった．

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