講演情報
[23a-12L-10]B-PR 法による界面電位–電圧特性と界面欠陥の評価
〇住吉 壱心1、野瀬 嘉太郎1 (1.京大院工)
キーワード：
フォトリフレクタンス,界面欠陥,SCAPS-1D
太陽電池の性能において界面欠陥の制御は重要である．一般的に界面欠陥の制御指標として曲線因子が挙げられるが，その解釈は容易でない．これに対し本研究では，界面欠陥の制御指標として，印加電圧 (V) と界面電位 (φs)の関係であるφs–V 特性を提案する．GaInP太陽電池に対して，バイアス印加PR法によりφs–V 特性を評価した結果，界面欠陥準位と界面欠陥密度がそれぞれVBM + 0.8 eV, 2 × 1012 cm-2と求まった．