[23a-12M-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[23a-12M-9] Defect reduction by hydrogen treatment of polycrystalline Si thin films

〇Zheng WANG¹, Huynh Tu Thi Cam¹, Ohdaira Keisuke¹ (1.JAIST)

Keywords:

Thin film silicon,Hydrogen treatment,Cat-CVD

FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、Cat-CVD装置で原子状水素処理を行い、その効果を調査した。水素処理によりn-poly-Si膜内の粒界やクラックのダングリングボンドを終端したため、短絡電流密度が0.005 mA/cm²から0.6 mA/ cm²に向上し、開放電圧0.44 Vを得た。水素処理による太陽電池特性の向上が見られ、水素処理の有効性が確認された。水素処理の条件調整により、さらなる太陽電池特性の向上が期待される。