講演情報
[23a-12M-9]Cat-CVD a-SiへのFLAにより形成した多結晶Si薄膜の水素による低欠陥化
〇王 崢1、Huynh Tu Thi Cam1、大平 圭介1 (1.北陸先端)
キーワード：
シリコン薄膜,水素処理,Cat-CVD
FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、Cat-CVD装置で原子状水素処理を行い、その効果を調査した。水素処理によりn-poly-Si膜内の粒界やクラックのダングリングボンドを終端したため、短絡電流密度が0.005 mA/cm2から0.6 mA/ cm2に向上し、開放電圧0.44 Vを得た。水素処理による太陽電池特性の向上が見られ、水素処理の有効性が確認された。水素処理の条件調整により、さらなる太陽電池特性の向上が期待される。