[23a-13M-1~11] 3.6 Laser processing (formerly 3.7)

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[23a-13M-9] Formation of SnCu solid solution intermediate phases by ultrashort pulsed laser irradiation

〇Hiroto Seki¹, Taketo Furuichi¹, Keisuke Takabayashi^2,3, Eibon Tsuchiya², Makoto Yamaguchi³, Tatsuya Okada¹, Yohei Kobayashi², Takuro Tomita¹ (1.Tokushima Univ., 2.ISSP Univ. of Tokyo, 3.Akita Univ.)

Keywords:

Ultrashort pulse laser,SnCu solid solution

我々はこれまでに、透明な材料であるワイドバンドギャップ半導体へ金属材料を蒸着した上でのワイドバンドギャップ半導体側からのフェムト秒レーザー光照射が金属材料の飛散を抑え、高温高圧場を閉じ込める役目を果たすことに着目し、新奇金属合金の形成を目指して研究を行っている。今回は Sn/Cu 薄膜に対し、パルス時間幅及びフルエンスを変更させレーザー照射を行い、断面をTEM観察することで金属薄膜の調査をした。