[23a-31A-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[23a-31A-3] Fabrication of anatase Nb-doped TiO₂ epitaxial thin films using mist chemical vapor deposition method

〇Reiichi Ueda¹, Tomohito Sudare¹, Kei Maeda², Yumie Miura¹, Ryota Shimizu¹, Ryo Nakayama¹, Kentaro Kaneko³, Naoomi Yamada⁴, Taro Hitosugi¹ (1.Univ. Tokyo, 2.Tokyo Tech., 3.Ritsumeikan Univ., 4.Chubu Univ.)

Keywords:

mist CVD,epitaxial thin film,TiO2

アナターゼ型Ti_1−xNb_xO₂(TNO)の成膜には物理堆積法に加え、近年、ミストCVD法が報告されている。しかし、ミストCVD法によるTNOの成膜は、ガラス基板上における多結晶薄膜についてのみ報告されており、エピタキシャル薄膜に関する報告はない。そこで本研究では、ミストCVD法によりLaAlO₃単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を作製し、特に、結晶性、および電気伝導性に着目して研究を進めた。