講演情報
[23a-31A-3]ミスト化学堆積法によるアナターゼ型NbドープTiO2エピタキシャル薄膜の作製
〇上田 礼一1、簾 智仁1、前田 慶2、三浦 弓恵1、清水 亮太1、中山 亮1、金子 健太郎3、山田 直臣4、一杉 太朗1 (1.東大院理、2.東工大理工、3.立命大総研、4.中部大工)
キーワード：
ミストCVD,エピタキシャル薄膜,TiO2
アナターゼ型Ti1−xNbxO2(TNO)の成膜には物理堆積法に加え、近年、ミストCVD法が報告されている。しかし、ミストCVD法によるTNOの成膜は、ガラス基板上における多結晶薄膜についてのみ報告されており、エピタキシャル薄膜に関する報告はない。そこで本研究では、ミストCVD法によりLaAlO3単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を作製し、特に、結晶性、および電気伝導性に着目して研究を進めた。