[23a-32A-1~7] 17.2 Graphene

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[23a-32A-1] Control of the morphology and the number of layers of graphene on SiC

〇Keiju Sato¹, Makoto Takamura¹, Mitsuru Morimoto¹, Takuji Maekawa¹, Yoshiaki Oku¹, Ken Nakahara¹, Wataru Norimatsu² (1.ROHM Co., Ltd., 2.Waseda Univ.)

Keywords:

Graphene

市場のSiCウエハの主流であるオフカットSiC基板上において、層数制御性良く、かつ表面荒れも抑制した状態でグラフェンを成長させる手法について報告を行う。当日は本手法の詳細の効果に加えて、on-axis基板との比較についても報告する。