[23a-32A-1~7] 17.2 グラフェン

9:30 〜 9:45

[23a-32A-1] SiC基板上グラフェンのモフォロジーおよび層数制御

〇佐藤 京樹¹、高村 誠¹、森本 満¹、前川 拓滋¹、奥 良彰¹、中原 健¹、乗松 航² (1.ローム株式会社、2.早大理工)

キーワード：

グラフェン

市場のSiCウエハの主流であるオフカットSiC基板上において、層数制御性良く、かつ表面荒れも抑制した状態でグラフェンを成長させる手法について報告を行う。当日は本手法の詳細の効果に加えて、on-axis基板との比較についても報告する。