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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-32A-4]Layer Exchange Growth of Multilayer Graphene Interconnects on Insulator

〇Hiromasa Murata¹, Kaoru Toko², Katsuhisa Murakami¹, Masayoshi Nagao¹ (1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba)

multilayer graphene,interconnect,layer exchange

多層グラフェンは高い電気伝導度を有し、配線材料として期待されている。我々は炭素膜の層交換を開発し、高品質な多層グラフェンを絶縁体上に直接合成してきた。本研究では、層交換を薄膜から3次元構造に発展させ、多層グラフェン配線の絶縁体上への直接合成を達成した。