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[23a-P02-1]Dependence of High Harmonic Generation in monolayer MoS2 and MoSe2 on Carrier Injection

〇(M1)Mikito Omoto1, Kento Uchida2, Hiroyuki Nishidome4, Kan Ueji1, Yohei Yomogida1, Takahiko Endo1, Yasumitsu Miyata1, Yuta Murakami4, Koichiro Tanaka2,3, Kazuhiro Yanagi1 (1.TMU, 2.Kyoto Univ., 3.iCeMS, 4.RIKEN)

Keywords:

High Harmonic Generation,Nonlinear optics,Transition metal dichalcogenides

固体系の高次高調波発生(HHG)は非摂動論領域の現象で、物性評価やアト秒レーザー光源など基礎・応用の両面で注目されている。これまで単層MoS2、MoSe2を対象に摂動論領域のSHGのキャリア注入依存性などが検証されてきたが、バンドエッジ近傍の議論が主であった。本研究では、これら試料のHHGのキャリア注入依存性を検証することで、価電子帯・伝導帯のバンドエッジの構造の非対称性を反映する振る舞いを観測した。