講演情報
[23a-P02-1]単層MoS2、MoSe2の高次高調波発生のキャリア注入依存性
〇(M1)大元 幹人1、内田 健人2、西留 比呂幸4、上治 寛1、蓬田 陽平1、遠藤 尚彦1、宮田 耕充1、村上 雄太4、田中 耕一郎2,3、柳 和宏1 (1.都立大理、2.京大理、3.iCeMS、4.理研)
キーワード：
高次高調波発生,非線形光学,遷移金属ダイカルコゲナイド
固体系の高次高調波発生(HHG)は非摂動論領域の現象で、物性評価やアト秒レーザー光源など基礎・応用の両面で注目されている。これまで単層MoS2、MoSe2を対象に摂動論領域のSHGのキャリア注入依存性などが検証されてきたが、バンドエッジ近傍の議論が主であった。本研究では、これら試料のHHGのキャリア注入依存性を検証することで、価電子帯・伝導帯のバンドエッジの構造の非対称性を反映する振る舞いを観測した。