Presentation Information
[23a-P06-10]HAXPES evaluation of ETL-SnOx layers for perovskite/Si tandem solar cell applications
〇Yoshiharu Kirihara1, Riki Takemasa1, Daisuke Ieki1, Akira Yasui2, Ryousuke Ishikawa1, Hiroshi Nohira1 (1.Tokyo City Univ., 2.JASRI)
Keywords:
Atomic Layer Deposition,Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,Solar Cell
シリコン太陽電池をボトムセルとし、ペロブスカイト太陽電池をトップセルとしたヘテロ接合系タンデム太陽電池を実現するためには、電子輸送層も含めてトップセルを200-300 ℃以下の低温で形成する必要がある。本研究ではペロブスカイト太陽電池の電子輸送層(ETL)として用いられるスズ酸化物(SnOx)を低温下の様々な条件で作製し、製膜条件による化学結合状態の違いを硬X線光電子分光法(HAXPES)で調べたので、その結果を報告する。Sn 4d光電子スペクトルから求めたSn2+の成分割合から、バンドギャップが小さい順に並べると、①ALD-SnOx ②無水spin-SnOx積層構造 ③無水spin-SnOxであることがわかった。