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3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[23p-11E-6]Low-leakage InGaAs single-photon avalanche diode using inverted structure.

〇Yuki Yamada¹, Ikue Hiraoka¹, Fumito Nakajima¹ (1.NTT Device Technology Labs.)

semiconductor,avalanche photodiode,single photon detection

単一光子アバランシェダイオード(SPAD)は、極低温の冷却機構を必要としない単一光子検出器であり、量子情報通信の実用に有望な技術である。本報告では、反転型構造により局所的なブレークダウンによるリークを抑制し、SPADのDCR低減に有効であることを示した。