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[23p-1BB-12]Investigation of the cut-off frequency of Si-2x2 single-molecule transistors

〇Eiji Tsuchihata1, Dongbao Yin1, Haru Tanaka1, Xin Xu1, Ryosuke Nitta1, Seiichiro Izawa1, Ryo Shintani2, Yutaka Majima1 (1.Tokyo Tech., 2.Osaka Univ.)

Keywords:

Single molecule transistor,Electron beam lithography,semiconductor

電子線リソグラフィおよび無電解金ナノめっき技術により、分子長サイズのギャップを有するヘテロエピタキシャル球状Au/Ptナノギャップ電極を作製した。作製した電極のナノギャップ間にSi2x2骨格をもち、両末端にチオール基をもつ分子を導入することで単分子トランジスタ(SMT)を作製した。直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加した際の交流電流を測定し、交流成分の増幅を評価することでSMTのカットオフ周波数を検討した.