講演情報
[23p-1BB-12]Si-2x2単分子トランジスタのカットオフ周波数の検討
〇土畑 瑛嗣1、Yin Dongbao1、田中 晴1、Xu Xin1、新田 亮介1、伊澤 誠一郎1、新谷 亮2、真島 豊1 (1.東工大 フロ研、2.阪大 基礎工)
キーワード：
単分子トランジスタ,電子線リソグラフィー,半導体
電子線リソグラフィおよび無電解金ナノめっき技術により、分子長サイズのギャップを有するヘテロエピタキシャル球状Au/Ptナノギャップ電極を作製した。作製した電極のナノギャップ間にSi2x2骨格をもち、両末端にチオール基をもつ分子を導入することで単分子トランジスタ(SMT)を作製した。直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加した際の交流電流を測定し、交流成分の増幅を評価することでSMTのカットオフ周波数を検討した.