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[23p-22A-1][The 55th Young Scientist Presentation Award Speech] Hydrogen passivation effects on n-type polycrystalline Ge thin films

〇Koki Nozawa1, Takashi Suemasu1, Kaoru Toko1 (1.Univ. of. Tsukuba)

Keywords:

semiconductor,Solid-phase crystallization

半導体薄膜のキャリア密度制御は、デバイス実証のうえで必要不可欠な技術である。ポストSi材料として研究されているGe薄膜においては特に、アクセプタ欠陥に起因して発生する正孔のため、低キャリア密度化が主要な課題の一つであった。
本研究では、V族元素添加により形成したn型多結晶n型Ge薄膜における水素プラズマ処理効果を検討した。電子密度を低下させる効果が発現し、高電子移動度(300 cm2 V1 s1)かつ低電子密度n(1.8×1017 cm3)を有するGe薄膜の形成に成功した。