半導体薄膜のキャリア密度制御は、デバイス実証のうえで必要不可欠な技術である。ポストSi材料として研究されているGe薄膜においては特に、アクセプタ欠陥に起因して発生する正孔のため、低キャリア密度化が主要な課題の一つであった。
本研究では、V族元素添加により形成したn型多結晶n型Ge薄膜における水素プラズマ処理効果を検討した。電子密度を低下させる効果が発現し、高電子移動度（300 cm² V⁻¹ s⁻¹）かつ低電子密度n（1.8×10¹⁷ cm⁻³）を有するGe薄膜の形成に成功した。