Presentation Information
[23p-22A-3]Optimization of SiO2 Underlayer Thickness and Laser Scanning Speed in Laser-induced Liquid-phase Crystallization of GeSn Wires on Si Substrates
〇Yuta Hayakawa1, Yuki Kondo1, Mizuki Kuniyoshi2, Takuma Kobayashi1, Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1 (1.Osaka Univ., 2.ULVAC, Inc.)
Keywords:
GeSn,Si substrate,Laser annealing
Si 基板上に光学素子と電子デバイスを融合する技術の光源部への適用に向け、Snの添加や引張歪みの印加によって直接遷移型バンド構造へと変調可能なGeが期待されている。我々はSi基板上に高品質なGeSn層を形成する方法としてレーザーアニールを検討、報告してきた。今回の講演では、レーザーアニールにおけるレーザー走査速度および、Si基板とGeSn層間の下地SiO2膜厚の最適化を行った結果を報告する。