講演情報
[23p-22A-3]Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化
〇早川 雄大1、近藤 優聖1、國吉 望月2、小林 拓真1、志村 孝功1、渡部 平司1 (1.大阪大工、2.アルバック協働研)
キーワード：
GeSn,Si基板,レーザーアニール
Si 基板上に光学素子と電子デバイスを融合する技術の光源部への適用に向け、Snの添加や引張歪みの印加によって直接遷移型バンド構造へと変調可能なGeが期待されている。我々はSi基板上に高品質なGeSn層を形成する方法としてレーザーアニールを検討、報告してきた。今回の講演では、レーザーアニールにおけるレーザー走査速度および、Si基板とGeSn層間の下地SiO2膜厚の最適化を行った結果を報告する。