[23p-22A-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-22A-7] Relation between Si Spacer Growth Temperature and Optical Properties of Multilayered Staggered SiGe Nanodots

〇Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa^1,2, Wei-Chen Wen³, Yuji Yamamoto³, Takuya Minowa¹, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.IHP)

Keywords:

Nanodot,SiGe,Optical properties

スペーサにSi、ドットにSiGeを用いた多層StaggeredナノドットにおいてSiスペーサ成長温度が及ぼすナノドットの光学特性についてラマン分光法、低温PL分光法により評価を実施した。その結果、成長温度増加に伴うラマンシフトの高波数シフト、PLピークのブルーシフトが確認された。スペーサ成長温度によりナノドットのサイズが制御可能だが、伴う歪状態の変化により光学特性に影響を及ぼすことが示唆された。