講演情報
[23p-22A-7]多層Staggered SiGeナノドットにおけるSiスペーサ成長温度と光学特性についての評価
〇伊藤 佑太1、横川 凌1,2、Wen Wei-Chen3、山本 裕司3、箕輪 卓哉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.IHP)
キーワード：
ナノドット,SiGe,光学特性
スペーサにSi、ドットにSiGeを用いた多層StaggeredナノドットにおいてSiスペーサ成長温度が及ぼすナノドットの光学特性についてラマン分光法、低温PL分光法により評価を実施した。その結果、成長温度増加に伴うラマンシフトの高波数シフト、PLピークのブルーシフトが確認された。スペーサ成長温度によりナノドットのサイズが制御可能だが、伴う歪状態の変化により光学特性に影響を及ぼすことが示唆された。