[23p-52A-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[23p-52A-6] Investigation of electronic properties of n-type 4H-SiC crystal with Ti/Au electrode film by Raman spectroscopy at high temperatures

〇Shu Ishida¹, Kousei Nishiwaki¹, Jun Suda¹ (1.Chukyo Univ.)

Keywords:

wide gap semiconductor,Raman spectroscopy,electronic properties

4H-SiCは絶縁破壊強度が大きいなどの優れた特徴を持ち、飛躍的な性能向上を実現できる半導体材料として大きな期待が寄せられている。EVなどで利用されるワイドギャップ半導体は、200℃程度の高温動作のため電極界面に熱応力が発生する。熱応力に起因する局所的な電子物性の変化等は信頼性低下の要因になることが指摘されている。講演では、熱応力と電子物性の温度依存性について報告する。