[23p-P05-1~65] 1 Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology (Poster)

[23p-P05-33] Relationship between reflectance and scallop depth on sidewall of black Ge fabricated by Deep-RIE

〇Mie Tohnishi¹, Sachiko Matsushita^2,3, Akihiro Matsutani¹ (1.Tokyo Tech. OFC, 2.Tokyo Tech. Materials Science and Engineering, 3.elleTharmo)

Keywords:

Black Ge,Deep-RIE,Reflectance

これまでSF6+O2/C4F8系ガスを用いたDeep-RIEによりブラックGeを作製し、ブラックGeの反射率が極めて低いこと（＜1％）を報告した。この低い反射率は、微細構造化によるものに加え、ボッシュプロセスによって発生する微細構造側壁のスキャロップの効果も考えられる。ここではブラックGeの微細構造側壁のスキャロップの反射率低減への効果を確認するために、O2プラズマによりスキャロップ深さを減少させた試料との反射率の比較を行ったので報告する。