[23p-P05-1~65] 1 応用物理学一般（ポスター）

[23p-P05-33] Deep-RIEで作製したブラックGeの微細構造側壁のスキャロップ深さと反射率との関係

〇遠西 美重¹、松下 祥子^2,3、松谷 晃宏¹ (1.東工大OFC、2.東工大物質理工学院、3.㈱ elleTharmo)

キーワード：

ブラックGe,Deep-RIE,反射率

これまでSF6+O2/C4F8系ガスを用いたDeep-RIEによりブラックGeを作製し、ブラックGeの反射率が極めて低いこと（＜1％）を報告した。この低い反射率は、微細構造化によるものに加え、ボッシュプロセスによって発生する微細構造側壁のスキャロップの効果も考えられる。ここではブラックGeの微細構造側壁のスキャロップの反射率低減への効果を確認するために、O2プラズマによりスキャロップ深さを減少させた試料との反射率の比較を行ったので報告する。