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[24a-12E-4]Semiconductor application by novel nano X-ray CT device

〇Tomomi Ogaki1, Yun Wenbing2, Sylvia Lewis2, Lau SH2 (1.Canon MJ, 2.Sigray Inc.)

Keywords:

X-ray CT,high-spatial resolution,semiconductor

長年、実験室レベルの汎用X線CT装置は、空間分解能500nmが限界値でした。一方、光学系にフレネルゾーンプレートを用いた空間分解能数10nmのX線CT装置は、X線回折を用いるため、X線エネルギーが5~8keVと低く、直径数10mmに試料を切り出して測定する必要がありました。Sigray社は、新型ナノX線CT装置を開発し、空間分解能300nmを達成しました。本講演では、新型ナノX線CT装置の新技術の紹介と半導体アプリケーションの結果を示します。