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[24a-12P-3]Fabrication and Transport Properties of TiO2/FeSe hetero structure

〇Hiroki Nakagawa1, Tomoki Kobayashi1, Ryo Ogawa1, Atsutaka Maeda1 (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:

iron-based superconductor,thin film

STO基板上の単層FeSeでは、界面効果により65Kで超伝導ギャップが開くと報告されている。しかし電気抵抗でのTcは40-44 K程度であり、ゼロ抵抗温度はさらに低い。これには、極薄膜ゆえのBKT転移による可能性が指摘されている。そこで、我々は、FeSe 極薄膜の上に TiO2 を蒸着し、界面効果を保ったまま 2 次元性を弱めることで、より高い温度でのゼロ抵抗の実現を目標とした。