STO基板上の単層FeSeでは、界面効果により65Kで超伝導ギャップが開くと報告されている。しかし電気抵抗でのT_cは40-44 K程度であり、ゼロ抵抗温度はさらに低い。これには、極薄膜ゆえのBKT転移による可能性が指摘されている。そこで、我々は、FeSe 極薄膜の上に TiO₂ を蒸着し、界面効果を保ったまま 2 次元性を弱めることで、より高い温度でのゼロ抵抗の実現を目標とした。