[24a-21C-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[24a-21C-1] Fabrication of Aluminum Nitride Single Crystal Substrates by Solid Phase Growth Method

〇Yosuke Sato¹, Kyohei Atsuji¹, Hiroharu Kobayashi¹, Jun Yoshikawa¹ (1.NGK)

Keywords:

Aluminum Nitride,AlN,LED

窒化アルミニウム(AlN)は、約6eVと広いバンドギャップ、高絶縁性、高紫外透過性、高熱伝導性を備えており、また窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)との格子定数や熱膨張係数の差が小さい特徴を有し、深紫外発光ダイオード(UVC-LED)への適用や、次世代のパワーデバイス、高周波(RF)デバイスへの展開も期待されている。我々は独自の製法により、今回2インチ及び4インチサイズのAlN単結晶基板を作製したので報告する。