[24a-21C-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[24a-21C-1] 固相成長法による窒化アルミニウム単結晶基板の作製

〇佐藤 洋介¹、阿閉 恭平¹、小林 博治¹、吉川 潤¹ (1.日本ガイシ(株))

キーワード：

窒化アルミニウム,窒化アルミ,発光ダイオード

窒化アルミニウム(AlN)は、約6eVと広いバンドギャップ、高絶縁性、高紫外透過性、高熱伝導性を備えており、また窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)との格子定数や熱膨張係数の差が小さい特徴を有し、深紫外発光ダイオード(UVC-LED)への適用や、次世代のパワーデバイス、高周波(RF)デバイスへの展開も期待されている。我々は独自の製法により、今回2インチ及び4インチサイズのAlN単結晶基板を作製したので報告する。