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11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24a-21C-8]Improvement of crystal surface of UV-B LD using chemically mechanically polished

〇(M1)Ryoya Yamada¹, Ryosuke Kondo¹, Toma Nishibayashi¹, Yoshinori Imoto¹, Takumu Saito¹, Shundai Maruyama¹, Rintaro Miyake¹, Yusuke Sasaki¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuti¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ, 2.Mie Univ)

Keywords:

nitride,UV LD

本グループは，周期的に形成したAlNナノピラー上にAlGaNを再成長することにより格子緩和した比較的高品質なAlGaNが実現できていることを報告している。またこのAlGaN上にUV-B領域のレーザダイオードを作製し、室温パルス発振を実現している。その一方で，結晶表面にはピットやヒロックが形成されることを報告している。本報告では，AlNナノピラー上に成長した格子緩和したAlGaNテンプレートを化学機械研磨（CMP）処理し，その上にAlGaNをホモエピタキシャル再成長する方法を検討した．

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