講演情報
[24a-21C-8]化学機械研磨を用いたAlGaN系UV-B LDの結晶表面改善
〇(M1)山田 凌矢1、近藤 涼輔1、西林 到真1、井本 圭紀1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、三宅 倫太郎1、佐々木 祐輔1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
窒化物,紫外レーザ
本グループは，周期的に形成したAlNナノピラー上にAlGaNを再成長することにより格子緩和した比較的高品質なAlGaNが実現できていることを報告している。またこのAlGaN上にUV-B領域のレーザダイオードを作製し、室温パルス発振を実現している。その一方で，結晶表面にはピットやヒロックが形成されることを報告している。本報告では，AlNナノピラー上に成長した格子緩和したAlGaNテンプレートを化学機械研磨（CMP）処理し，その上にAlGaNをホモエピタキシャル再成長する方法を検討した．