Presentation Information
[24a-21C-9]Optical characterization of AlGaN-based UV-B lasers fabricated on wet-etched periodic AlN nanopillars
〇(M1)Yoshinori Imoto1, Miyake Rintaro1, Ryosuke Kondo1, Ryoya Yamada1, Toma Nishibayashi1, Eri Matsubara1, Takumu Saito1, Shundai Maruyama1, Yusuke Sasaki1, Sho Iwayama1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)
Keywords:
Nitride,UV laser
我々は周期的に配列したAlNナノピラー上に格子緩和した高品質AlGaNを形成することによりAlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温パルス発振に成功した。また、上記のAlNナノピラーをTMAH水溶液でエッチング処理することにより、光励起レーザーのしきい値パワー密度が半分程度に低下することを報告した。本報告では、様々なAlGaN下地層上に光励起レーザーを作製し、AlGaN結晶中に含まれる転位密度などの結晶学的特性および発振閾値パワー密度を比較した。