[24a-21C-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24a-21C-9] Optical characterization of AlGaN-based UV-B lasers fabricated on wet-etched periodic AlN nanopillars

〇(M1)Yoshinori Imoto¹, Miyake Rintaro¹, Ryosuke Kondo¹, Ryoya Yamada¹, Toma Nishibayashi¹, Eri Matsubara¹, Takumu Saito¹, Shundai Maruyama¹, Yusuke Sasaki¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

Nitride,UV laser

我々は周期的に配列したAlNナノピラー上に格子緩和した高品質AlGaNを形成することによりAlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温パルス発振に成功した。また、上記のAlNナノピラーをTMAH水溶液でエッチング処理することにより、光励起レーザーのしきい値パワー密度が半分程度に低下することを報告した。本報告では、様々なAlGaN下地層上に光励起レーザーを作製し、AlGaN結晶中に含まれる転位密度などの結晶学的特性および発振閾値パワー密度を比較した。