講演情報
[24a-21C-9]ウェットエッチングしたAlNナノピラー上に作製したAlGaN系UV-Bレーザーの光学特性評価
〇(M1)井本 圭紀1、三宅 倫太郎1、近藤 涼輔1、山田 凌矢1、西林 到真1、松原 衣里1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
窒化物,紫外レーザー
我々は周期的に配列したAlNナノピラー上に格子緩和した高品質AlGaNを形成することによりAlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温パルス発振に成功した。また、上記のAlNナノピラーをTMAH水溶液でエッチング処理することにより、光励起レーザーのしきい値パワー密度が半分程度に低下することを報告した。本報告では、様々なAlGaN下地層上に光励起レーザーを作製し、AlGaN結晶中に含まれる転位密度などの結晶学的特性および発振閾値パワー密度を比較した。