[24a-32A-1~10] 17.2 Graphene

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24a-32A-10] Observation of photoinduced carrier accumulation at the SiO₂/Si interface using graphene charge sensor

〇(M1)Jin Miura¹, Fumiyuki Inamura¹, Takashi Ikuta¹, Kenzo Maehashi¹, Kenji Ikushima¹ (1.Tokyo Univ. of A & T)

Keywords:

Si,MOS,photoinduced carrier

近年、半導体のキャリア極性を可逆的に制御する方法として光照射によるキャリアのドーピングが二次元材料で報告されている。この光照射によるドーピングがSi-MOS構造においても可能になると、光プログラマブルなCMOS論理回路の実現が期待される。本研究ではCVDグラフェン/SiO₂/SiからなるSi-MOS構造素子を作製し、グラフェンを電荷センサとして利用することで光誘起キャリアの蓄積とその極性の制御を実証した。