[24a-32A-1~10] 17.2 グラフェン

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[24a-32A-10] グラフェン電荷センサを用いたSiO₂/Si界面における光誘起キャリア蓄積の観測

〇(M1)三浦 晨¹、稲村 文行¹、生田 昂¹、前橋 兼三¹、生嶋 健司¹ (1.農工大院工)

キーワード：

Si,MOS,光誘起キャリア

近年、半導体のキャリア極性を可逆的に制御する方法として光照射によるキャリアのドーピングが二次元材料で報告されている。この光照射によるドーピングがSi-MOS構造においても可能になると、光プログラマブルなCMOS論理回路の実現が期待される。本研究ではCVDグラフェン/SiO₂/SiからなるSi-MOS構造素子を作製し、グラフェンを電荷センサとして利用することで光誘起キャリアの蓄積とその極性の制御を実証した。