[24p-12B-1~15] CS.1 Code-sharing Session of 2.3 & 7.4

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[24p-12B-11] Au nanowire growth on ion-irradiated Si substrates with different orientations

〇Yugo Takashima¹, Hitomi Mizutani¹, Katsumi Takahiro¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:

Au nanowire,ion beam,silicon

イオン照射したSi基板へAuを真空蒸着すると、照射／非照射境界の隆起部分にのみ、Auナノワイヤが成長する。これまで、基板として単結晶Si(100)を用いて、Au NWの成長を観察・議論してきたが、他の面方位を有する単結晶Siでは、照射／非照射境界の隆起やAu NW成長の有無は不明である。本研究では、3種類の面方位のSi基板に対してイオン照射することにより、Si基板の隆起およびAu NWを観察し、それらの面方位依存性を検討した。