講演情報
[24p-12B-11]イオン照射Si基板上に成長させたAuナノワイヤのSi基板面方位依存性
〇高嶌 勇伍1、水谷 仁美1、高廣 克己1 (1.京工繊大)
キーワード：
金ナノワイヤ,イオンビーム,シリコン
イオン照射したSi基板へAuを真空蒸着すると、照射／非照射境界の隆起部分にのみ、Auナノワイヤが成長する。これまで、基板として単結晶Si(100)を用いて、Au NWの成長を観察・議論してきたが、他の面方位を有する単結晶Siでは、照射／非照射境界の隆起やAu NW成長の有無は不明である。本研究では、3種類の面方位のSi基板に対してイオン照射することにより、Si基板の隆起およびAu NWを観察し、それらの面方位依存性を検討した。