[24p-21B-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[24p-21B-10] Identification of the temperature difference applied to the thermoelectric leg of a micro integrated thermoelectric device

〇Ryuichiro Arayama¹, Takuya Miura¹, Keita Kuga¹, Shuhei Arai¹, Takeo Matsuki¹, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:

Seebeck coefficient,Si nanowire

我々はSiナノワイヤ(Si-NW)を熱電材料として用いた微小熱電デバイスの開発に取り組んでいる。熱電発電材料には、高い無次元性能指数ZT=S²σ/κTが要求される。今回、当研究グループがSi-CMOSプロセスで作製した集積熱電デバイスにおいて、熱電発電が起こるSi-NW部（レグ部）の熱電性能を明らかにするため、同じプロセスで作製した熱電性能評価用のSi-NWデバイスを用いて、電気伝導率とゼーベック係数の精密測定を行った。